杏彩2开发基于氧化硅的一千比特存储器芯片

浏览次数: 作者: 来源:未知 日期:2019-09-08
杏彩2的一项新研究详细介绍了一种带有二极管的1千字节可重写氧化硅存储器件,可消除数据损坏的串扰。而且实验室开创了使用廉价,丰富的氧化硅来存储数据的存储设备,这使得它们向芯片展示了该技术的实用性。
 
杏彩2团队已经制造出一个1千比特的可擦写氧化硅器件,其二极管可以消除数据损坏的串扰。
 
随着千兆字节的闪存变得越来越便宜,1k非易失性存储器单元几乎没有实际用途。但作为概念验证,该芯片表明它应该有可能超越闪存在封装密度,每比特能耗和开关速度方面的限制。
 
该技术基于巡回实验室的早期发现:当电流通过一层氧化硅时,它会剥离氧分子并形成一个小于5纳米宽的纯金属相硅通道。正常工作电压可以反复断开和“修复”通道,根据它是否损坏或完整,可以将其读作“1”或“0”。
 
与大多数存储器芯片一样,电路仅需要两个端子而不是三个端子。杏彩2实验室构建的横杆存储器具有灵活性,可抵抗热量和辐射,并有望在三维阵列中进行堆叠。巡回实验室制造的基本硅存储器现在已经进入国际空间站,在那里他们正在测试它们在暴露于辐射时能够保持图案的能力。
 
二极管通过保持电池上的电子状态不会泄漏到相邻的电池中,消除了横杆结构中固有的串扰。“开发并不容易,但现在很容易制作。
 
由杏彩2研究员建造的这种装置是新论文的主要作者,它将活性氧化硅夹在钯层之间。硅 - 钯三明治搁置在薄铝层上,铝层与p掺杂硅的基层结合起来作为二极管。Wang的32 x 32位测试阵列略大于微米深,交叉线宽度为10到100微米,用于测试目的。
 
这些器件经证明是坚固耐用的,具有大约10,000比1的高开/关比,相当于10年的使用,低能耗甚至多比特切换的能力,这将允许更高密度的信息存储。传统的双态存储系统。
 
与缺少二极管的测试版(1R)相比,被称为“一个二极管 - 一个电阻器”(1D-1R)的设备工作得特别好。“只使用氧化硅是不够的,”他说。在只有记忆材料的(1R)横杆结构中,如果我们制作了1,024个单元,那么只有大约63个单元可以单独工作。会有串音,这是一个问题。
 
为了证明1D-1R的功能,Wang将3 x 3网格和编码的ASCII字母拼写成“RICE OWLS”。将相邻位设置为“开启”状态 - 通常导致电压泄漏和1R交叉开关结构中的数据损坏 - 对信息没有影响。
 
从工程方面来看,将二极管集成到1k存储器阵列中并非易事。将此扩展到商业记忆将是行业的工作,但这次演示表明它可以完成。
 

地址:发达市天桥区东府庄18号 电话:789-889 邮 箱:de958@126.com

页面版权所有 2013-2015 杏耀注册开户|杏耀平台|杏彩平台2注册登陆官网 网站地图

友链:


网站设计制作:杏耀官网